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BDW93C Bestand und Preise

ST Microelectronics Trans Darlington NPN 100V 12A 80000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
1.25
BDW93C
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BDW93C ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • Hersteller:
    ST Microelectronics
  • Hersteller-Nr:
    BDW93C
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM782500
  • Preis (EUR):
    1.25
  • AiPCBA-Lager:
    250 Stk
  • Verfügbarkeit:
    151 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    Trans Darlington NPN 100V 12A 80000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
BDW93C Kaufen BDW93C Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-11 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: BDW93C
    AiPCBA P/N: CM782500
    Hersteller: ST Microelectronics
    Preis
    1.25
    Gesamt: 401 Stk
    MOQ: 1
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    Versanddatum: 2024/07/16 (erwartet)
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    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ST Microelectronics
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-220-3
    Nennspannung (DC)
    100 V
    Nennstrom
    12.0 A
    Pinzahl
    3 Position
    Polarität
    NPN
    Verlustleistung
    80 W
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    100 V
    hFE Min
    750 @5A, 3V
    Eingangsleistung (max.)
    80 W
    Gleichstromverstärkung (hFE)
    20000
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -65 ℃
    Verlustleistung (max)
    80000 mW
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    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    10.4 mm
    Breite
    4.6 mm
    Höhe
    9.15 mm
    Betriebstemperatur
    150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • The BDW93C is a 100V Silicon Epitaxial Base NPN Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
    • Complementary to the BDW94C
    • Integrated anti-parallel collector-emitter diode
    • Well-controlled hFE parameter for increased reliability

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      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
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