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Teiledatenblatt > Infineon > BGA725L6 Datenblatt-PDF > BGA725L6 Anwendungshinweis Seite 1/25
BGA725L6
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BGA725L6 Anwendungshinweis - Infineon

Aktualisierte Uhrzeit: 2025-06-14 05:30:18 (UTC+8)

BGA725L6 Anwendungshinweis

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RF and Protection Devices
BGA725L6
Application Note AN280
Revision: Rev. 1.0
2012-06-08
High-Gain Low Noise Amplifier for
Global Navigation Satellite Systems
(GNSS) from 1550 MHz to 1615 MHz
Applications using 0201 components
Verzeichnis

BGA725L6 Datenblatt-PDF

BGA725L6 Datenblatt PDF
Infineon
51 Seiten, 1076 KB
BGA725L6 Benutzerreferenzhandbuch
Infineon
270 Seiten, 11877 KB
BGA725L6 Anderes Datenblatt
Infineon
25 Seiten, 1304 KB
BGA725L6 Anwendungshinweis
Infineon
25 Seiten, 782 KB
BGA725L6 Verpackung
Infineon
16 Seiten, 1449 KB

BGA725 Datenblatt-PDF

BGA725L6E6327FTSA1
Benutzerreferenzhandbuch
Infineon
INFINEON BGA725L6E6327FTSA1 RF AMP, 20dB, 1.615GHz, 3.6V, TSLP-6
BGA 725L6 E6327 Benutzerreferenzhandbuch
Infineon
INFINEON BGA 725L6 E6327 RF AMP, 20dB, 1.615GHz, 3.6V, TSLP-6
BGA725L6
Datenblatt PDF
Infineon
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.6V 6Pin TSLP T/R
BGA725L6 E6327
Verpackung
Infineon
AMPLIFIER
BGA725L6E6327
Verpackung
Infineon
RF AMP, 20dB, 1.615GHz, 3.6V, TSLP-6; Frequency Min:1.55GHz; Frequency Max:1.615GHz; Gain:20dB; Noise Figure Typ:0.65dB; RF IC Case Style:DFN; No. of Pins:6; Supply Voltage Min:1.5V; Supply Voltage Max:3.6V; Operating Temperature Min:-40℃; Operating Temperature Max:85℃; Packaging:Cut Tape; MSL:MSL 1 - Unlimited
BGA725L6E6327FTSA1/SAMPLE
Verpackung
Infineon
Rf Silicon Mmic
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