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DDB2U30N08VRBOMA1 Anwendungshinweis - Infineon

  • Hersteller:
    Infineon
  • Fallpaket
    AG-EASY750-1
  • Beschreibung:
    Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 83500mW 8Pin EASY750 Tray
Aktualisierte Uhrzeit: 2025-04-27 10:19:26 (UTC+8)

DDB2U30N08VRBOMA1 Anwendungshinweis

Seite:von 11
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AN2015-10 Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Revision <1.0 >
www.infineon.com 2015-12-08
AN 2015
-10
Transient Thermal Measurements and thermal
equivalent circuit models
Replaces AN2008-03
About this document
Scope and purpose
The base of a power electronic design is the interaction of power losses of an IGBT module with the thermal
impedance of the power electronic system.
With a precise model the system can be designed for high output current without exceeding the maximum
junction temperature limit and being reliable in terms of power cycling, respectively.
To meet the requirement Infineon has optimized the measurement method.
The following sections describe how to thermally characterize a power electronic system and how to model it
for application oriented investigations.

DDB2U30N08VRBOMA1 Datenblatt-PDF

DDB2U30N08VRBOMA1 Datenblatt PDF
Infineon
1 Seiten, 77 KB
DDB2U30N08VRBOMA1 Anderes Datenblatt
Infineon
73 Seiten, 3004 KB
DDB2U30N08VRBOMA1 Anwendungshinweis
Infineon
11 Seiten, 606 KB

DDB2U30N08 Datenblatt-PDF

DDB2U30N08VR
Datenblatt PDF
Infineon
Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 8Pin EASY750
DDB2U30N08VRBOMA1
Datenblatt PDF
Infineon
Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 83500mW 8Pin EASY750 Tray
DDB2U30N08VR
Anderes Datenblatt
Eupec
IGBT Modules N-CH 600V 25A
DDB2U30N08VRBOMA1307
Anderes Datenblatt
Infineon
IGBT MODULE
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