Web Analytics
Datasheet
Teiledatenblatt > MOSFET, MOSFET Transistor > Infineon > IRFP250MPBF Datenblatt-PDF > IRFP250MPBF Anwendungshinweis Seite 1/37
IRFP250MPBF
€ 1.13
Preis von AiPCBA

IRFP250MPBF Anwendungshinweis - Infineon

  • Hersteller:
    Infineon
  • Kategorie:
    MOSFET, MOSFET Transistor
  • Fallpaket
    TO-247-3
  • Beschreibung:
    TO-247AC N-CH 200V 30A
Aktualisierte Uhrzeit: 2025-05-05 22:41:57 (UTC+8)

IRFP250MPBF Anwendungshinweis

Seite:von 37
PDF herunterladen
Neu laden
herunterladen
Some key facts about avalanche
About this document
Scope and purpose
The document aims to provide details about avalanche that are oen overlooked, disregarded or simply not
commonly known. Theory is examined in order to establish a baseline that is used later on when considering
examples. Some relevant comments about common avalanche test methods are also given. The final section of
the document covers repetitive avalanche.
Intended audience
Power supply design engineers, applications engineers, students.
Table of contents
About this document . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Table of contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 Single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4
2.1 What is single pulse avalanche? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.1 Brief reminder about avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.2 Defining single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.3 Amplitude of V
DS
spikes in single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Failure mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Latch-up . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.2 Thermal destruction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3 100% tested in production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
3 Making use of the datasheet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1 Existing information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2 Extrapolation for other apps conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21
3.2.1 Example with T
j(start)
= 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.2.2 Repeating same procedure with a dierent T
j(start)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.3 Variation of E
AS
with L
loop
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.4 Comparing apples to apples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.5 Datasheet diagram for thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27
4 Repetitive avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.1 What is repetitive avalanche? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2 Failure mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.3 Locating where avalanche occurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.4 Rating of OptiMOS
TM
families under repetitive avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33
5 References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
AN_201611_PL11_002
Application Note
Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Version 1.0
www.infineon.com 2017-01-9

IRFP250MPBF Datenblatt-PDF

IRFP250MPBF Datenblatt PDF
Infineon
8 Seiten, 637 KB
IRFP250MPBF Benutzerreferenzhandbuch
Infineon
270 Seiten, 11877 KB
IRFP250MPBF Anderes Datenblatt
Infineon
30 Seiten, 664 KB
IRFP250MPBF Diagramme zeichnen
Infineon
2 Seiten, 176 KB
IRFP250MPBF Anwendungshinweis
Infineon
37 Seiten, 2068 KB

IRFP250 Datenblatt-PDF

IRFP250
Datenblatt PDF
IXYS Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247AD
IRFP250
Datenblatt PDF
ST Microelectronics
MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
IRFP250
Datenblatt PDF
International Rectifier
N-Channel MOSFET, Vdss = 200V, Rds = 0.085Ω, Id = 30A, TO-247AC
IRFP250
Anderes Datenblatt
VISHAY
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP250
Anderes Datenblatt
Vishay Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP250
Datenblatt PDF
Fairchild
Trans MOSFET N-CH Si 200V 33A 3Pin(3+Tab) TO-247
IRFP250
Datenblatt PDF
Infineon
MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
IRFP250
Datenblatt PDF
Samsung
N-channel power MOSFET, 200V, 30A
IRFP250
Anderes Datenblatt
Harris
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
IRFP250
Anderes Datenblatt
Intersil
33A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
Datenblatt-PDF-Suche
Suche
100 Millionen Datenblatt-PDF, aktualisieren Sie mehr als 5.000 PDF-Dateien pro Tag.
Dokumentation beziehen: IRFP250 Datenblatt PDF
Kontakt online
Bonnie - AiPCBA Sales Manager Online, vor 5 Minuten
Ihre E-Mail *
Nachricht *
Senden