Web Analytics
Datasheet
Teiledatenblatt > MOSFET, MOSFET Transistor > Infineon > IRLR3110ZTRPBF Datenblatt-PDF > IRLR3110ZTRPBF Anwendungshinweis Seite 1/37
IRLR3110ZTRPBF
€ 1.21
Preis von AiPCBA

IRLR3110ZTRPBF Anwendungshinweis - Infineon

  • Hersteller:
    Infineon
  • Kategorie:
    MOSFET, MOSFET Transistor
  • Fallpaket
    TO-252-3
  • Beschreibung:
    DPAK N-CH 100V 63A
Aktualisierte Uhrzeit: 2025-05-17 11:41:30 (UTC+8)

IRLR3110ZTRPBF Anwendungshinweis

Seite:von 37
PDF herunterladen
Neu laden
herunterladen
Some key facts about avalanche
About this document
Scope and purpose
The document aims to provide details about avalanche that are oen overlooked, disregarded or simply not
commonly known. Theory is examined in order to establish a baseline that is used later on when considering
examples. Some relevant comments about common avalanche test methods are also given. The final section of
the document covers repetitive avalanche.
Intended audience
Power supply design engineers, applications engineers, students.
Table of contents
About this document . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Table of contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 Single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4
2.1 What is single pulse avalanche? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.1 Brief reminder about avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.2 Defining single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.3 Amplitude of V
DS
spikes in single pulse avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Failure mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Latch-up . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.2 Thermal destruction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3 100% tested in production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
3 Making use of the datasheet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1 Existing information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2 Extrapolation for other apps conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21
3.2.1 Example with T
j(start)
= 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.2.2 Repeating same procedure with a dierent T
j(start)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.3 Variation of E
AS
with L
loop
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.4 Comparing apples to apples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.5 Datasheet diagram for thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27
4 Repetitive avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.1 What is repetitive avalanche? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2 Failure mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.3 Locating where avalanche occurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.4 Rating of OptiMOS
TM
families under repetitive avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33
5 References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
AN_201611_PL11_002
Application Note
Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Version 1.0
www.infineon.com 2017-01-9

IRLR3110ZTRPBF Datenblatt-PDF

IRLR3110ZTRPBF Datenblatt PDF
Infineon
11 Seiten, 318 KB
IRLR3110ZTRPBF Benutzerreferenzhandbuch
Infineon
270 Seiten, 11877 KB
IRLR3110ZTRPBF Anderes Datenblatt
Infineon
30 Seiten, 664 KB
IRLR3110ZTRPBF Diagramme zeichnen
Infineon
2 Seiten, 176 KB
IRLR3110ZTRPBF Anwendungshinweis
Infineon
37 Seiten, 2068 KB
IRLR3110ZTRPBF Notizdatei
Infineon
2 Seiten, 110 KB

IRLR3110 Datenblatt-PDF

IRLR3110ZTRPBF
Datenblatt PDF
Infineon
DPAK N-CH 100V 63A
IRLR3110ZPBF
Datenblatt PDF
Infineon
DPAK N-CH 100V 63A
IRLR3110ZTRPBF
Datenblatt PDF
International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR3110ZTRLPBF
Datenblatt PDF
Infineon
DPAK N-CH 100V 63A
IRLR3110ZPBF
Datenblatt PDF
International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube
IRLR3110ZTRRPBF
Datenblatt PDF
Infineon
DPAK N-CH 100V 63A
IRLR3110ZTRLPBF
Datenblatt PDF
International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR3110ZTRRPBF
Datenblatt PDF
International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR3110Z
Anderes Datenblatt
International Rectifier
100V HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
IRLR3110Z
Datenblatt PDF
Infineon
DPAK N-CH 100V 63A
Datenblatt-PDF-Suche
Suche
100 Millionen Datenblatt-PDF, aktualisieren Sie mehr als 5.000 PDF-Dateien pro Tag.
Kontakt online
Bonnie - AiPCBA Sales Manager Online, vor 5 Minuten
Ihre E-Mail *
Nachricht *
Senden