IRF610 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Fallpaket:
SFM
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Dokumentation:

IRF610 Anderes Datenblatt (8 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/31 03:13:08 (UTC+8)

IRF610 Datenblatt-PDF (8 Seiten)

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IRF610 Anderes Datenblatt

Samsung

8 Seiten, 637 KB

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