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IRF640 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Fallpaket:
SFM
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Dokumentation:

IRF640 Datenblatt PDF (12 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9 Seite 10

Aktualisierte Zeit: 2024/04/01 19:45:41 (UTC+8)

IRF640 Datenblatt-PDF (12 Seiten)

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Technische Daten

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Elektrische Spezifikation

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IRF640 Datenblatt PDF

Samsung

12 Seiten, 244 KB

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