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IRF644 Datenblatt-PDF - Harris

Hersteller:
Harris
Fallpaket:
TO-220AB
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Dokumentation:

IRF644 Anderes Datenblatt (8 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/12/02 09:10:44 (UTC+8)

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IRF644 Dokumente

IRF644 Anderes Datenblatt

Harris

8 Seiten, 1111 KB

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