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IRFU320 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
Dokumentation:

IRFU320 Datenblatt PDF (4 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 1

Teilenummerierungssystem on Seite 3

Aktualisierte Zeit: 2024/06/29 08:42:18 (UTC+8)

IRFU320 Datenblatt-PDF (4 Seiten)

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Elektrische Spezifikation

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Elektrische Spezifikation

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Elektrische Spezifikation

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Technische Daten

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IRFU320 Datenblatt PDF

Samsung

4 Seiten, 75 KB

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