SUP85N10-10 Datenblatt-PDF - Vishay Intertechnology

Hersteller:
Vishay Intertechnology
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Dokumentation:

SUP85N10-10 Anderes Datenblatt (6 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/31 18:13:33 (UTC+8)

SUP85N10-10 Datenblatt-PDF (6 Seiten)

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SUP85N10-10 Dokumente

SUP85N10-10 Anderes Datenblatt

Vishay Intertechnology

6 Seiten, 71 KB

SUP85 Datenblatt-PDF

SUP85N10-10-E3
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220-3 N-CH 100V 85A 10.5mΩ

SUP85N10-10-E3
Datenblatt PDF

Vishay Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

SUP85N10-10-GE3
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220-3 N-CH 100V 85A 10.5mΩ

SUP85N15-21-E3
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220-3 N-CH 150V 85A 21mΩ

SUP85N03-04P-E3
Datenblatt PDF

Vishay Semiconductor

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.0035Ω; ID 85A; TO-220AB; PD 166W; VGS +/-20V

SUP85N03-3M6P-GE3
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220-3 N-CH 30V 85A 3.6mΩ

SUP85N10-10-E3
Datenblatt PDF

Vishay Siliconix

Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

SUP85N03-04P-E3
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220AB N-CH 30V 85A

SUP85N15-21-E3
Datenblatt PDF

Vishay Siliconix

Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

SUP85N03-04P-E3
Datenblatt PDF

Vishay Siliconix

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.0035Ω; ID 85A; TO-220AB; PD 166W; VGS +/-20V

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