BSM35GD120DN2 Datenblatt-PDF - Siemens Semiconductor

Hersteller:
Siemens Semiconductor
Beschreibung:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Dokumentation:

BSM35GD120DN2 Anderes Datenblatt (9 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/31 16:52:34 (UTC+8)

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BSM35GD120DN2 Dokumente

BSM35GD120DN2 Anderes Datenblatt

Siemens Semiconductor

9 Seiten, 124 KB

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