FP30R06W1E3 Datenblatt-PDF - Eupec

Hersteller:
Eupec
Beschreibung:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
Dokumentation:

FP30R06W1E3 Datenblatt PDF (12 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/27 08:38:17 (UTC+8)

FP30R06W1E3 Datenblatt-PDF (12 Seiten)

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FP30R06W1E3 Dokumente

FP30R06W1E3 Datenblatt PDF

Eupec

12 Seiten, 959 KB

FP30R06W1 Datenblatt-PDF

FP30R06W1E3
Datenblatt PDF

Infineon

Trans IGBT Module N-CH 600V 37A 115000mW 23Pin EASY1B Tray

FP30R06W1E3_B11
Datenblatt PDF

Infineon

Trans IGBT Module N-CH 600V 37A 23Pin EASY1B-2

FP30R06W1E3BOMA1
Datenblatt PDF

Infineon

Trans IGBT Module N-CH 600V 37A 115000mW 20Pin EASY1B-1 Tray

FP30R06W1E3B11BOMA1
Datenblatt PDF

Infineon

Trans IGBT Module N-CH 600V 37A 115000mW 23Pin AG-EASY1B-2 Tray

FP30R06W1E3
Datenblatt PDF

Eupec

Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23

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