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IPB200N15N3 Datenblatt-PDF - Infineon

Hersteller:
Infineon
Fallpaket:
-
Beschreibung:
OptiMOS3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Dokumentation:

IPB200N15N3 Datenblatt PDF (12 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/06/29 08:16:15 (UTC+8)

IPB200N15N3 Datenblatt-PDF (12 Seiten)

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IPB200N15N3 Dokumente

IPB200N15N3 Datenblatt PDF

Infineon

12 Seiten, 994 KB

Infineon

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