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IRFIBF30GPBF Datenblatt-PDF - Vishay Intertechnology

Hersteller:
Vishay Intertechnology
Fallpaket:
TO-220
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Dokumentation:

IRFIBF30GPBF Datenblatt PDF (8 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/19 15:31:54 (UTC+8)

IRFIBF30GPBF Datenblatt-PDF (8 Seiten)

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IRFIBF30GPBF Dokumente

IRFIBF30GPBF Datenblatt PDF

Vishay Intertechnology

8 Seiten, 1453 KB

IRFIBF30 Datenblatt-PDF

IRFIBF30GPBF
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220-3 N-CH 900V 1.9A 3.7Ω

IRFIBF30G
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220FP N-CH 900V 1.9A

IRFIBF30GPBF
Datenblatt PDF

Vishay Semiconductor

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 3.7Ω; ID 1.9A; TO-220 Full-Pak; PD 35W

IRFIBF30GPBF
Datenblatt PDF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

IRFIBF30G
Datenblatt PDF

International Rectifier

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package0

IRFIBF30G
Anderes Datenblatt

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

IRFIBF30G
Datenblatt PDF

Vishay Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 900V 1.9A 3Pin(3+Tab) TO-220FP

IRFIBF30GPBF
Datenblatt PDF

Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

IRFIBF30GPBF
Datenblatt PDF

Vishay Precision Group

MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 3.7 Ohms; ID 1.9A; TO-220 Full-Pak; PD 35W

IRFIBF30G
Datenblatt PDF

IRF

Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7Ω, Id=1.9A)

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