IRG4BC30FDPBF Datenblatt-PDF - Infineon

IRG4BC30FDPBF Datenblatt PDF

Infineon

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IRG4BC30FDPBF Benutzerreferenzhandbuch

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IRG4BC30FDPBF Notizdatei

Infineon

6 Seiten, 397 KB

IRG4BC30
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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IRG4BC30KDPBF
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRG4BC30UDPBF
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRG4BC30FPBF
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRG4BC30FDPBF
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRG4BC30SPBF
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRG4BC30KD-SPBF
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

IRG4BC30FD-SPBF
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Infineon

INFINEON IRG4BC30FD-SPBF IGBT Single Transistor, 31A, 1.8V, 100W, 600V, TO-263, 3Pins

IRG4BC30WPBF
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRG4BC30UPBF
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube