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MRF1513NT1 Datenblatt-PDF - NXP

  • Hersteller:
    NXP
  • Kategorie:
    Transistor
  • Fallpaket:
    PLD-1
  • Beschreibung:
    * Specified Performance @ 520MHz, 12.5 Volts Output Power: 3W Power Gain: 15dB Efficiency: 65% * Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5VDC, 520MHz, 2dB Overdrive * Excellent Thermal Stability * Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters * N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant. * In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12mm, 7Inch Reel.
  • Dokumentation:
Aktualisierte Zeit: 2025/06/09 20:16:10 (UTC+8)
MRF1513NT1 Datenblatt-PDF (1 Seiten)
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MRF1513NT1 Dokumente

MRF1513NT1 Datenblatt PDF
NXP
7 Seiten, 167 KB
MRF1513NT1 Anderes Datenblatt
NXP
30 Seiten, 303 KB
MRF1513NT1 Anwendungshinweis
NXP
16 Seiten, 530 KB
MRF1513NT1 Andere Referenzen
NXP
1 Seiten, 218 KB

MRF1513 Datenblatt-PDF

MRF1513NT1
Datenblatt PDF
NXP
* Specified Performance @ 520MHz, 12.5 Volts Output Power: 3W Power Gain: 15dB Efficiency: 65% * Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5VDC, 520MHz, 2dB Overdrive * Excellent Thermal Stability * Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters * N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant. * In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12mm, 7Inch Reel.
MRF1513NT1
Datenblatt PDF
Freescale
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2A 3Pin PLD-1.5 T/R
MRF1513N
Datenblatt PDF
NXP
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520MHz, 3W, 12.5V
MRF1513T1
Anderes Datenblatt
Motorola
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFET
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