MW6S004NT1

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MW6S004NT1 Datenblatt-PDF - NXP

Hersteller:
NXP
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Fallpaket:
PLD-1
Beschreibung:
RF Power Transistor,1 to 2000MHz, 4W, Typ Gain in dB is 18 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1811
Dokumentation:

MW6S004NT1 Anderes Datenblatt (3 Seiten) heiß

MW6S004NT1 Anwendungshinweis (13 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/03/30 02:03:58 (UTC+8)

MW6S004NT1 Datenblatt-PDF (3 Seiten)

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MW6S004NT1 Dokumente

MW6S004NT1 Anderes Datenblatt

NXP

3 Seiten, 456 KB

MW6S004NT1 Anwendungshinweis

NXP

13 Seiten, 546 KB

MW6S004NT1 Andere Referenzen

NXP

1 Seiten, 218 KB

MW6S004 Datenblatt-PDF

MW6S004NT1
Anderes Datenblatt

NXP

RF Power Transistor,1 to 2000MHz, 4W, Typ Gain in dB is 18 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1811

MW6S004NT1
Datenblatt PDF

Freescale

MOSFET RF N-CH 28V 4W PLD-1.5

MW6S004N
Anderes Datenblatt

NXP

Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1-2000MHz, 4W, 28V

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