RJH60F7DPQ-A0 Datenblatt-PDF - Renesas Electronics

Hersteller:
Renesas Electronics
Kategorie:
IGBT Transistor, IGBT Module
Fallpaket:
TO-247
Beschreibung:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3Pin TO-247A Tube
Dokumentation:

RJH60F7DPQ-A0 Datenblatt PDF (8 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/22 13:29:26 (UTC+8)

RJH60F7DPQ-A0 Datenblatt-PDF (8 Seiten)

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RJH60F7DPQ-A0 Datenblatt PDF

Renesas Electronics

8 Seiten, 94 KB

RJH60F7 Datenblatt-PDF

RJH60F7DPQ-A0#T0
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Renesas Electronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 328900mW 3Pin(3+Tab) TO-247A

RJH60F7ADPK-00#T0
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* Low collector to emitter saturation voltage * VCE(sat) = 1.35V typ. (at IC = 50A, VGE = 15V, Ta = 25℃) * Built in fast recovery diode in one package * Trench gate and thin wafer technology * High speed switching * tf = 74ns typ. (at IC = 30A, VCE = 400V, VGE = 15V, Rg = 5Ω, Ta = 25℃, inductive load)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 328900mW 3Pin(3+Tab) TO-247A Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3Pin TO-247A Tube

RJH60F7ADPK
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Renesas Electronics

Silicon N Channel IGBT / High Speed Power Switching / TO-3P Package

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Renesas Electronics

Silicon N Channel IGBT / High Speed Power Switching / TO-3P Package