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SGB02N120 Datenblatt-PDF - Infineon

Aktualisierte Zeit: 2025/06/10 13:31:22 (UTC+8)

SGB02N120 Datenblatt-PDF (4 Seiten)

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SGB02N120 Dokumente

SGB02N120 Datenblatt PDF

Infineon

11 Seiten, 434 KB

SGB02N120 Benutzerreferenzhandbuch

Infineon

270 Seiten, 11877 KB

SGB02N120 Anderes Datenblatt

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73 Seiten, 3004 KB

SGB02N120 Anwendungshinweis

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48 Seiten, 2052 KB

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 6.2A 3Pin TO-263 T/R

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 6.2A 3Pin(2+Tab) TO-263 T/R

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(2+Tab) TO-263

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(2+Tab) TO-263

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IGBT, 2A, 1200V, N-CHANNEL

Siemens Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

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