SGP02N60 Datenblatt-PDF - Siemens Semiconductor

Hersteller:
Siemens Semiconductor
Beschreibung:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Dokumentation:

SGP02N60 Datenblatt PDF (12 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/04/05 00:30:45 (UTC+8)

SGP02N60 Datenblatt-PDF (12 Seiten)

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SGP02N60 Dokumente

SGP02N60 Datenblatt PDF

Siemens Semiconductor

12 Seiten, 354 KB

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