SIHB22N60E-GE3

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SIHB22N60E-GE3 Datenblatt-PDF - Vishay Semiconductor

Hersteller:
Vishay Semiconductor
Kategorie:
High Voltage MOS Transistor
Fallpaket:
TO-263
Beschreibung:
VISHAY SIHB22N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 21A, 600V, 0.15Ω, 10V, 2V
Dokumentation:

SIHB22N60E-GE3 Datenblatt PDF (9 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 7

Teilenummerierungssystem on Seite 1

Aktualisierte Zeit: 2023/11/23 08:33:14 (UTC+8)

SIHB22N60E-GE3 Datenblatt-PDF (9 Seiten)

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Anwendungsbereich

2

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Technische Daten

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