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SPD04P10PL Datenblatt-PDF - Infineon

Hersteller:
Infineon
Fallpaket:
TO-252-3
Beschreibung:
SIPMOSÂ® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
Dokumentation:

SPD04P10PL Datenblatt PDF (10 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8

Aktualisierte Zeit: 2023/11/21 02:34:49 (UTC+8)

SPD04P10PL Datenblatt-PDF (10 Seiten)

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SPD04P10PL Dokumente

SPD04P10PL Datenblatt PDF

Infineon

10 Seiten, 458 KB

Infineon

DPAK P-CH 100V 4.2A

Infineon

DPAK P-CH 100V 4A

Infineon

Trans MOSFET P-CH 100V 4.2A 3Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Infineon

P-channel Mosfets Power-transistor

Infineon

Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Infineon

P-CH 100V 4A 1000mOhm TO252 **

Infineon

SIPMOSÂ® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode

Infineon

SIPMOSÂ® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode

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