Name: 2N3637UB
Brand: Microsemi
SKU: CM75032990
Price: 15.89 USD
Availability: InStock

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2N3637UB Microsemi

Hersteller:
Microsemi
Hersteller-Nr:
2N3637UB
AiPCBA-Teilenummer:
CM75032990
Preis (EUR):
€

15.89
AiPCBA-Lager:
451 Stk
Versendet von:
Verfügbarkeit:
282 Stück auf Lager

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Produktkategorie:
Bipolartransistor
Produktbeschreibung:
UB PNP 140V 1A
Dokumentation:
Datenblatt
3D-Modell

2N3637UB Kaufen 2N3637UB Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-05 03:50:22

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Teilenummer: 2N3637UB

AiPCBA P/N: CM75032990

Hersteller: Microsemi

Paket: SMD-3

Preis
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Gesamt: 733 Stk

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Erinnerungen zur Betrugsprävention

Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.

AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.

Wir empfehlen unseren Kunden dringend, sich für zuverlässige Komponentenlieferanten zu entscheiden.

Bitte beachten Sie, dass die einzigen offiziellen Website- und E-Mail-Suffixe sind aipcba.com

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TYP

BESCHREIBUNG

AUSWÄHLEN

Hersteller

Microsemi

Kategorie

Bipolartransistor

3D-Modell

Montagesmethoden

Surface Mount

Anzahl von Pins

3 Pin

Verpackung

SMD-3

Polarität

PNP

Verlustleistung

1 W

Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)

175 V

Kontinuierlicher Sammlerstrom

hFE Min

100 @50mA, 10V

Eingangsleistung (max.)

1.5 W

Betriebstemperatur (max.)

200 ℃

Betriebstemperatur (Min)

-65 ℃

Verlustleistung (max)

1000 mW

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Ansicht

Größe & Paket

TYP

BESCHREIBUNG

Länge

3.25 mm

Breite

2.74 mm

Höhe

1.8 mm

Material

Silicon

Betriebstemperatur

-65℃ ~ 200℃ (TJ)

Produktlebenszyklus

Active

Verpackungsmethoden

Bulk

2N3637UB Datenblatt >

Umwelt

TYP

BESCHREIBUNG

RoHS-Standard

Non-Compliant

Bleifreier Status

2N3637UB Datenblatt >

Exportklassifikationen

TYP

BESCHREIBUNG

ECCN Code

EAR99

2N3637UB Datenblatt >

Funktionsübersicht

Microsemi has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their PNP 2N3637UB general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 140 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

2N3637UB Datenblatt >

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Bestellung Zahlung Versand Paket Qualitätssicherung Komponentenprüflabor

Die hier aufgeführten Geschäftsbedingungen dienen nur als Referenz, die tatsächlichen AGB unterliegen dem Angebot des Verkäufers.
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- MOQ bedeutet die Mindestbestellmenge, die erforderlich ist, um jedes Teil zu kaufen.
- Wenn Sie spezielle Bestellanweisungen haben, vermerken Sie diese bitte auf der Bestellseite.
- Die Pre-Shipment Inspection (PSI) wird angewendet.
- Sie können uns jederzeit eine E-Mail senden, um den Bestellstatus zu überprüfen.
- Bestellungen können nach Versand der Pakete nicht mehr storniert werden.
- TT im Voraus (Banküberweisung), PayPal kann ausgewählt werden.
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- Der Kunde ist für die Zahlung aller möglichen Gebühren verantwortlich, einschließlich Umsatzsteuer, Mehrwertsteuer und Zollgebühren usw.
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- Sie können auswählen, ob die Versandkosten von Ihrem Versandkonto oder von unserer Seite berechnet werden sollen.
- Bitte bestätigen Sie dies im Voraus mit dem Logistikunternehmen, wenn Sie sich in einem abgelegenen Gebiet befinden.
（Es können zusätzliche Gebühren (35-50 USD) für die Lieferung in diese Gebiete anfallen.）
- Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
- Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
- Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
- Vakuumverpackung
- Antistatische Verpackung
- Antivibrationsschaum
- Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
- 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
- 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
- Entkapselungsinspektion
- Röntgeninspektion
- XRF-Inspektion
- Elektrische Prüfung
- Oberflächenprüfung
- Substandard- und Fälschungserkennung
- Fehleranalyse
- Elektrische Prüfung
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