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2N6052 Bestand und Preise

2N6052
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2N6052 ON Semiconductor
Kaum verfügbar
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    2N6052
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM122219496
  • Preis (EUR): € 1.05
  • AiPCBA-Lager:
    33 Stk
  • Verfügbarkeit:
    42 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    TO-204-2 PNP 100V 12A
  • Dokumentation: 3D-Modell
2N6052 Kaufen 2N6052 Bestand & Preis aktualisiert um 2024-05-18 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: 2N6052
    AiPCBA P/N: CM122219496
    Hersteller: ON Semiconductor
    Preis €1.05
    Gesamt: 75 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/05/23 (erwartet)
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    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    TYP
    BESCHREIBUNG
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    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-204-2
    Nennspannung (DC)
    -100 V
    Nennstrom
    -12.0 A
    Polarität
    PNP
    Verlustleistung
    150 W
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    100 V
    Kontinuierlicher Sammlerstrom
    12A
    hFE Min
    750 @6A, 3V
    hFE Max
    18000
    Eingangsleistung (max.)
    150 W
    Betriebstemperatur (max.)
    200 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -65 ℃
    Verlustleistung (max)
    150000 mW
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    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    39.37 mm
    Breite
    26.67 mm
    Höhe
    8.51 mm
    Betriebstemperatur
    -65℃ ~ 200℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Unknown
    Verpackungsmethoden
    Tray
    Minimale Verpackungsmenge
    100
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    Non-Compliant
    Bleifreier Status
    Contains Lead
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80−100 VOLTS 150 WATTS
    • . . . designed for general−purpose amplifier and low frequency switching applications.
    • • High DC Current Gain —
    •    hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
    • • Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA
    •    VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6058
    •       100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059
    • • Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
    • • These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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