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2SK1960 Bestand und Preise

2SK1960
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
2SK1960 NEC
NEC
  • Hersteller:
    NEC
  • Hersteller-Nr:
    2SK1960
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM582888489
  • Preis (EUR):
  • AiPCBA-Lager:
    264 Stk
  • Verfügbarkeit:
    165 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktbeschreibung:
    N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING
  • Dokumentation: 3D-Modell
2SK1960 Kaufen 2SK1960 Bestand & Preis aktualisiert um 2024-05-31 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: 2SK1960
    AiPCBA P/N: CM582888489
    Hersteller: NEC
    Preis
    Gesamt: 429 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/06/05 (erwartet)
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    Erinnerungen zur Betrugsprävention
    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
    Wir empfehlen unseren Kunden dringend, sich für zuverlässige Komponentenlieferanten zu entscheiden.
    Bitte beachten Sie, dass die einzigen offiziellen Website- und E-Mail-Suffixe sind aipcba.com
    2SK1960 Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    NEC
    Verpackung
    SOT-89
    3D-Modell
     3D-Modell
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    2SK1960 Datenblatt-PDF
    2SK1960 Datenblatt PDF
    6 Pages, 61 KB
    Ansicht
    2SK1960 Produktkatalog
    6 Pages, 63 KB
    1998/02/27
    Ansicht
    Funktionsübersicht
    • MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK1960 is an N-channel vertical MOS FET. Because it can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an actuator for low-current portable systems such as headphone stereos and video cameras. Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Gate can be driven by 1.5 V Low ON resistance

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
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      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    SN:H0.48507LO93934V21Q0QC0S1
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