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BUL45D2G Bestand und Preise

ON Semiconductor TO-220AB NPN 400V 5A
1.47
BUL45D2G
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BUL45D2G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    BUL45D2G
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM10310700
  • Preis (EUR):
    1.47
  • AiPCBA-Lager:
    258 Stk
  • Verfügbarkeit:
    157 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    TO-220AB NPN 400V 5A
  • Dokumentation: 3D-Modell
BUL45D2G Kaufen BUL45D2G Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-11 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: BUL45D2G
    AiPCBA P/N: CM10310700
    Hersteller: ON Semiconductor
    Paket: TO-220-3
    Preis
    1.47
    Gesamt: 415 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2025/06/16 (erwartet)
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    BUL45D2G Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-220-3
    Frequenz
    12 MHz
    Nennspannung (DC)
    700 V
    Nennstrom
    5.00 A
    Nennleistung
    75 W
    Pinzahl
    3 Position
    Polarität
    NPN
    Verlustleistung
    75 W
    Verstärkungs-Bandbreite-Produkt
    13 MHz
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    400 V
    Kontinuierlicher Sammlerstrom
    5A
    hFE Min
    10 @2A, 1V
    hFE Max
    34
    Eingangsleistung (max.)
    75 W
    Gleichstromverstärkung (hFE)
    32
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -65 ℃
    Verlustleistung (max)
    75000 mW
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    BUL45D2G Notizdatei
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    2015/10/16
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    10.53 mm
    Breite
    4.83 mm
    Höhe
    15.75 mm
    Betriebstemperatur
    -65℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC Compliance Edition
    2016/06/20
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN BUL45D2G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 12 V. Its maximum power dissipation is 75000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 400 V and a maximum emitter base voltage of 12 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

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      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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