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FDC6305N Bestand und Preise

ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6Pin SuperSOT T/R
0.74
FDC6305N
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FDC6305N ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    FDC6305N
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM2802913
  • Preis (EUR):
    0.74
  • AiPCBA-Lager:
    4,199 Stk
  • Verfügbarkeit:
    2,953 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6Pin SuperSOT T/R
  • Dokumentation: 3D-Modell
FDC6305N Kaufen FDC6305N Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-11 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: FDC6305N
    AiPCBA P/N: CM2802913
    Hersteller: ON Semiconductor
    Paket: TSOT-23-6
    Preis
    0.74
    Gesamt: 7,152 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2025/06/16 (erwartet)
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    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    FDC6305N Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    6 Pin
    Verpackung
    TSOT-23-6
    Pinzahl
    6 Position
    Drain-Source-Widerstand
    0.08 Ω
    Verlustleistung
    0.96 W
    Schwellenspannung
    900 mV
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    20 V
    Anstiegszeit
    8.5 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    310pF @10V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    700 mW
    Abfallzeit
    3 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    960 mW
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    FDC6305N Datenblatt-PDF
    FDC6305N Datenblatt PDF
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    1999/06/08
    Ansicht
    FDC6305N Anderes Datenblatt
    7 Pages, 189 KB
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    FDC6305N Anderes Datenblatt
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    FDC6305N Anderes Datenblatt
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    FDC6305N Anderes Datenblatt
    7 Pages, 193 KB
    Ansicht
    FDC6305N Eigenschaften Beschreibung Parameter
    5 Pages, 74 KB
    1999/06/08
    Ansicht
    FDC6305N Notizdatei
    15 Pages, 585 KB
    2020/05/07
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    3 mm
    Breite
    1.7 mm
    Höhe
    1 mm
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    Funktionsübersicht
    • The FDC6305N is a dual N-channel low threshold MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is suitable for use with load switch, DC-to-DC converters and motor driving applications.
    • Low gate charge
    • Fast switching speed
    • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
    • Small footprint
    • Low profile

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      (Es können zusätzliche Gebühren (35-50 USD) für die Lieferung in diese Gebiete anfallen.)
      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
      - Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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