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FDG6321C Bestand und Preise

ON Semiconductor MOSFET Transistor, N and P Channel, 500mA, 25V, 450mohm, 4.5V, 800mV
0.39
FDG6321C
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FDG6321C ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    FDG6321C
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM19421000
  • Preis (EUR):
    0.39
  • AiPCBA-Lager:
    1,935 Stk
  • Verfügbarkeit:
    1,191 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktbeschreibung:
    MOSFET Transistor, N and P Channel, 500mA, 25V, 450mohm, 4.5V, 800mV
  • Dokumentation: 3D-Modell
FDG6321C Kaufen FDG6321C Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-12 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: FDG6321C
    AiPCBA P/N: CM19421000
    Hersteller: ON Semiconductor
    Paket: SOT-363-6
    Preis
    0.39
    Gesamt: 3,126 Stk
    MOQ: 1
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    Versanddatum: 2025/06/17 (erwartet)
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    FDG6321C Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    3D-Modell
     3D-Modell
    Anzahl von Pins
    6 Pin
    Verpackung
    SOT-363-6
    Pinzahl
    6 Position
    Drain-Source-Widerstand
    0.45 Ω
    Verlustleistung
    300 mW
    Schwellenspannung
    800 mV
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    25 V
    Eingangskapazität (Ciss)
    50pF @10V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    300 mW
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    300 mW
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    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    Funktionsübersicht
    • These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild"s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
    • Features
    • ---
    •  |
    • N-Ch 0.50 A, 25 V, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V, RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V.
    • P-Ch -0.41 A, -25 V, RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V, RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V.
    • Very small package outline SC70-6.
    • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V).
    • Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model).

    AiPCBA-Zertifizierungen

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      - MOQ bedeutet die Mindestbestellmenge, die erforderlich ist, um jedes Teil zu kaufen.
      - Wenn Sie spezielle Bestellanweisungen haben, vermerken Sie diese bitte auf der Bestellseite.
      - Die Pre-Shipment Inspection (PSI) wird angewendet.
      - Sie können uns jederzeit eine E-Mail senden, um den Bestellstatus zu überprüfen.
      - Bestellungen können nach Versand der Pakete nicht mehr storniert werden.
    • - TT im Voraus (Banküberweisung), PayPal kann ausgewählt werden.
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      - Der Kunde ist für die Zahlung aller möglichen Gebühren verantwortlich, einschließlich Umsatzsteuer, Mehrwertsteuer und Zollgebühren usw.
      - Wenn Sie die detaillierte Rechnung oder Steuernummer benötigen, senden Sie uns bitte eine E-Mail.
    • - FedEx, DHL und UPS können ausgewählt werden.
      - Sie können auswählen, ob die Versandkosten von Ihrem Versandkonto oder von unserer Seite berechnet werden sollen.
      - Bitte bestätigen Sie dies im Voraus mit dem Logistikunternehmen, wenn Sie sich in einem abgelegenen Gebiet befinden.
      (Es können zusätzliche Gebühren (35-50 USD) für die Lieferung in diese Gebiete anfallen.)
      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
      - Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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