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FQP30N06L Bestand und Preise

FQP30N06L
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
FQP30N06L ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    FQP30N06L
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM2217126
  • Preis (EUR): € 1.13
  • AiPCBA-Lager:
    827 Stk
  • Verfügbarkeit:
    378 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • Dokumentation: 3D-Modell
FQP30N06L Kaufen FQP30N06L Bestand & Preis aktualisiert um 2024-05-17 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: FQP30N06L
    AiPCBA P/N: CM2217126
    Hersteller: ON Semiconductor
    Preis €1.13
    Gesamt: 1,205 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/05/22 (erwartet)
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    FQP30N06L Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-220-3
    Pinzahl
    3 Position
    Drain-Source-Widerstand
    27 mΩ
    Verlustleistung
    79 W
    Schwellenspannung
    2.5 V
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    60 V
    Anstiegszeit
    210 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    800pF @25V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    79 W
    Abfallzeit
    110 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    175 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    79 W
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    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    10.67 mm
    Breite
    4.7 mm
    Höhe
    16.3 mm
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    Compliant with Exemption
    Bleifreier Status
    Lead Free
    Funktionsübersicht
    • The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.
    • Low gate charge
    • 100% Avalanche tested
    • Low crss (typical 50pF)
    • ±20V Gate-source voltage

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      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
      - Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    Teile beziehen: FQP30N06 Datenblatt PDF

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