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MTW32N20E Bestand und Preise

ON Semiconductor TRIAC, Power MOSFET; TO-247; 600V; N; 200VDC; 200VDC; 50mA (Max.); 32A
4.77
MTW32N20E
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MTW32N20E ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    MTW32N20E
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM143296200
  • Preis (EUR):
    4.77
  • AiPCBA-Lager:
    286 Stk
  • Verfügbarkeit:
    204 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    TRIAC, Power MOSFET; TO-247; 600V; N; 200VDC; 200VDC; 50mA (Max.); 32A
  • Dokumentation: 3D-Modell
MTW32N20E Kaufen MTW32N20E Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-06 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: MTW32N20E
    AiPCBA P/N: CM143296200
    Hersteller: ON Semiconductor
    Paket: TO-247-3
    Preis
    4.77
    Gesamt: 490 Stk
    MOQ: 1
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    Versanddatum: 2025/06/11 (erwartet)
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    MTW32N20E Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-247-3
    Nennspannung (DC)
    200 V
    Nennstrom
    32.0 A
    Drain-Source-Widerstand
    0.075 Ω
    Polarität
    N-Channel
    Verlustleistung
    180 W
    Input-Kapazität
    3600pF @25V
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    200 V
    Drain-Source-Durchschlagsspannung
    200 V
    Gate-Source-Durchschlagsspannung
    ±20.0 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    32.0 A
    Anstiegszeit
    120 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    5000pF @25V(Vds)
    Abfallzeit
    91 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    180W (Tc)
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    2006/06/29
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    16.26 mm
    Breite
    5.3 mm
    Höhe
    21.08 mm
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Unknown
    Verpackungsmethoden
    Bulk
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    Non-Compliant
    Bleifreier Status
    Contains Lead
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • Power MOSFET, TO-247 Package Type, NChannel,150°C (Max.)
    • * Avalanche Energy Specified
    • * Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
    • * Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
    • * IDSS and VDS (on) Specified at Elevated Temperature
    • * Isolated Mounting Hole

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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