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NSBC114YDP6T5G Bestand und Preise

ON Semiconductor SOT-963 NPN 50V 100mA
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NSBC114YDP6T5G
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NSBC114YDP6T5G ON Semiconductor
Kaum verfügbar
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    NSBC114YDP6T5G
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM48345306
  • Preis (EUR):
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    SOT-963 NPN 50V 100mA
  • Dokumentation: 3D-Modell
NSBC114YDP6T5G Kaufen NSBC114YDP6T5G Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-15 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: NSBC114YDP6T5G
    AiPCBA P/N: CM48345306
    Hersteller: ON Semiconductor
    Paket: SOT-963-6
    Preis
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2025/06/20 (erwartet)
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    NSBC114YDP6T5G Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    6 Pin
    Verpackung
    SOT-963-6
    Polarität
    NPN
    Verlustleistung
    408 mW
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    50 V
    Kontinuierlicher Sammlerstrom
    100mA
    hFE Min
    80 @5mA, 10V
    hFE Max
    80
    Eingangsleistung (max.)
    339 mW
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    408 mW
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    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    1 mm
    Breite
    0.8 mm
    Höhe
    0.37 mm
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • Look no further than ON Semiconductor"s NPN NSBC114YDP6T5G digital transistor"s, the ideal component to use when designing a digital signal processing unit. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@0.3mA@10mA V. Its maximum power dissipation is 408 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a dual configuration.

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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