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SIHD7N60E-GE3 Bestand und Preise

VISHAY TO-252-3 N-CH 600V 7A 600mΩ
0.8
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
SIHD7N60E-GE3 VISHAY
VISHAY
  • Hersteller:
    VISHAY
  • Hersteller-Nr:
    SIHD7N60E-GE3
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM53852107
  • Preis (EUR):
    0.8
  • AiPCBA-Lager:
    107 Stk
  • Verfügbarkeit:
    85 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    TO-252-3 N-CH 600V 7A 600mΩ
  • Dokumentation: 3D-Modell
SIHD7N60E-GE3 Kaufen SIHD7N60E-GE3 Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-15 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: SIHD7N60E-GE3
    AiPCBA P/N: CM53852107
    Hersteller: VISHAY
    Preis
    0.8
    Gesamt: 192 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2025/06/20 (erwartet)
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    Erinnerungen zur Betrugsprävention
    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
    Wir empfehlen unseren Kunden dringend, sich für zuverlässige Komponentenlieferanten zu entscheiden.
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    SIHD7N60E-GE3 Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    VISHAY
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-252-3
    Pinzahl
    3 Position
    Drain-Source-Widerstand
    0.5 Ω
    Polarität
    N-CH
    Verlustleistung
    78 W
    Schwellenspannung
    2 V
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    600 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    7A
    Anstiegszeit
    13 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    680pF @100V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    78 W
    Abfallzeit
    14 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    78000 mW
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    SIHD7N60E-GE3 Datenblatt-PDF
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    Ansicht
    SIHD7N60E-GE3 Anderes Datenblatt
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    2015/11/30
    Ansicht
    SIHD7N60E-GE3 Notizdatei
    3 Pages, 99 KB
    2014/09/26
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Bulk
    Minimale Verpackungsmenge
    2000
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    Compliant with Exemption
    Bleifreier Status
    Lead Free
    Funktionsübersicht
    • The SIHD7N60E-GE3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
    • Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
    • Low input capacitance (CISS)
    • Reduced switching and conduction losses
    • Ultra low gate charge
    • Avalanche energy rated
    • Halogen-free

    AiPCBA-Zertifizierungen

    AiPCBA verspricht die Produktqualität und -sicherheit mit ISO 9001, ISO 13485, ISO 45001, UL-, RoHS-, CQC- und REACH-Zertifizierungen
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      - MOQ bedeutet die Mindestbestellmenge, die erforderlich ist, um jedes Teil zu kaufen.
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    • - TT im Voraus (Banküberweisung), PayPal kann ausgewählt werden.
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    • - FedEx, DHL und UPS können ausgewählt werden.
      - Sie können auswählen, ob die Versandkosten von Ihrem Versandkonto oder von unserer Seite berechnet werden sollen.
      - Bitte bestätigen Sie dies im Voraus mit dem Logistikunternehmen, wenn Sie sich in einem abgelegenen Gebiet befinden.
      (Es können zusätzliche Gebühren (35-50 USD) für die Lieferung in diese Gebiete anfallen.)
      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
      - Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    SN:H1.14897LO0V8Q0QC0S0
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