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STD6N65M2 Bestand und Preise

ST Microelectronics STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4A, 650V, 1.2Ω, 10V, 3V
1.24
STD6N65M2
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
STD6N65M2 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • Hersteller:
    ST Microelectronics
  • Hersteller-Nr:
    STD6N65M2
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM55778759
  • Preis (EUR):
    1.24
  • AiPCBA-Lager:
    1,994 Stk
  • Verfügbarkeit:
    1,216 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Hochspannungs-MOS
  • Produktbeschreibung:
    STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4A, 650V, 1.2Ω, 10V, 3V
  • Dokumentation: 3D-Modell
STD6N65M2 Kaufen STD6N65M2 Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: STD6N65M2
    AiPCBA P/N: CM55778759
    Hersteller: ST Microelectronics
    Paket: TO-252-3
    Preis
    1.24
    Gesamt: 3,210 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2025/06/09 (erwartet)
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    STD6N65M2 Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ST Microelectronics
    Kategorie
    Hochspannungs-MOS
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-252-3
    Pinzahl
    3 Position
    Drain-Source-Widerstand
    1.2 Ω
    Polarität
    N-Channel
    Verlustleistung
    60 W
    Schwellenspannung
    3 V
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    650 V
    Anstiegszeit
    7 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    226pF @100V(Vds)
    Abfallzeit
    20 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    60W (Tc)
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    STD6N65M2 Datenblatt-PDF
    STD6N65M2 Anderes Datenblatt
    1 Pages, 436 KB
    2006/05/08
    Ansicht
    STD6N65M2 Verpackung
    23 Pages, 882 KB
    2013/02/21
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Funktionsübersicht
    • The STD6N65M2 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology which has strip layout and improved vertical structure, the device exhibits low ON-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
    • 100% Avalanche tested

    AiPCBA-Zertifizierungen

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    SN:H1.99537LO37243V44Q0QC0S0
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