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STPSC6TH13TI Bestand und Preise

ST Microelectronics STMICROELECTRONICS STPSC6TH13TI Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 650V Series, Dual Series, 650V, 6A, 18NC, TO-220AB
4.94
STPSC6TH13TI
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STPSC6TH13TI ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • Hersteller:
    ST Microelectronics
  • Hersteller-Nr:
    STPSC6TH13TI
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM61490106
  • Preis (EUR):
    4.94
  • AiPCBA-Lager:
    602 Stk
  • Verfügbarkeit:
    334 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Schottky-Dioden
  • Produktbeschreibung:
    STMICROELECTRONICS STPSC6TH13TI Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 650V Series, Dual Series, 650V, 6A, 18NC, TO-220AB
  • Dokumentation: 3D-Modell
STPSC6TH13TI Kaufen STPSC6TH13TI Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-16 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: STPSC6TH13TI
    AiPCBA P/N: CM61490106
    Hersteller: ST Microelectronics
    Paket: TO-220-3
    Preis
    4.94
    Gesamt: 936 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2025/06/21 (erwartet)
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    STPSC6TH13TI Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ST Microelectronics
    Kategorie
    Schottky-Dioden
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-220-3
    Vorwärts-Spannung
    1.75V @6A
    Rücklaufzeit
    0 ns
    Vorwärtsstrom
    6 A
    Max. Vorwärts-Überspannungsstrom (Ifsm)
    400 A
    Maximale Durchlassspannung (max.)
    1.75V @6A
    Durchlassstrom (max.)
    6 A
    Betriebstemperatur (max.)
    175 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -40 ℃
    Junction-Temperatur (max.)
    175 ℃
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    STPSC6TH13TI Notizdatei
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    2014/10/09
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Betriebstemperatur
    -40℃ ~ 175℃
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
    • Especially suited for use in specific bridge-less topologies, this dual 650 V rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
    • **Key Features**
    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Suited for specific bridge-less topologies
    • High forward surge capability
    • Insulated package:
    • Capacitance: 7 pF
    • Insulated voltage: 2500 V rms

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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