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STY60NM50 Bestand und Preise

ST Microelectronics STMICROELECTRONICS STY60NM50 MOSFET Transistor, N Channel, 60A, 500V, 50mohm, 10V, 4V
67.31
STY60NM50
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STY60NM50 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • Hersteller:
    ST Microelectronics
  • Hersteller-Nr:
    STY60NM50
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM12610920
  • Preis (EUR):
    67.31
  • AiPCBA-Lager:
    1,261 Stk
  • Verfügbarkeit:
    628 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    STMICROELECTRONICS STY60NM50 MOSFET Transistor, N Channel, 60A, 500V, 50mohm, 10V, 4V
  • Dokumentation: 3D-Modell
STY60NM50 Kaufen STY60NM50 Bestand & Preis aktualisiert um 2025-06-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: STY60NM50
    AiPCBA P/N: CM12610920
    Hersteller: ST Microelectronics
    Paket: TO-247-3
    Preis
    67.31
    Gesamt: 1,889 Stk
    MOQ: 1
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    Versanddatum: 2025/06/09 (erwartet)
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    STY60NM50 Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ST Microelectronics
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-247-3
    Nennspannung (DC)
    500 V
    Nennstrom
    60.0 A
    Anzahl der Kanäle
    1 Channel
    Pinzahl
    3 Position
    Drain-Source-Widerstand
    0.05 Ω
    Polarität
    N-Channel
    Verlustleistung
    560 W
    Schwellenspannung
    4 V
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    500 V
    Drain-Source-Durchschlagsspannung
    500 V
    Gate-Source-Durchschlagsspannung
    ±30.0 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    60.0 A
    Anstiegszeit
    58 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    7500pF @25V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    560 W
    Abfallzeit
    46 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -65 ℃
    Verlustleistung (max)
    560W (Tc)
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    2011/06/15
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    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Breite
    5.3 mm
    Betriebstemperatur
    150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Funktionsübersicht
    • The STY60NM50 is a MDmesh™ N-channel Zener-protected Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better. It is suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniaturization and higher efficiencies.
    • 0.045R RDS (ON)
    • High dV/dt and avalanche capability
    • Improved ESD capability
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
    • Tight process control
    • Lowest ON-resistance

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      (Es können zusätzliche Gebühren (35-50 USD) für die Lieferung in diese Gebiete anfallen.)
      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
      - Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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