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SIHF12N60E-GE3 Datenblatt-PDF - Vishay Semiconductor

Hersteller:
Vishay Semiconductor
Kategorie:
High Voltage MOS Transistor
Fallpaket:
TO-220-3
Beschreibung:
VISHAY SIHF12N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 12A, 600V, 0.32Ω, 10V, 2V
Dokumentation:

SIHF12N60E-GE3 Datenblatt PDF (8 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 7

Teilenummerierungssystem on Seite 1

Aktualisierte Zeit: 2023/11/18 12:07:36 (UTC+8)

SIHF12N60E-GE3 Datenblatt-PDF (8 Seiten)

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Anwendungsbereich

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Technische Daten

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