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SIHF12N60E-GE3 Datenblatt-PDF - Vishay Intertechnology

Hersteller:
Vishay Intertechnology
Fallpaket:
TO-220
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-220, FULL PAK-3
Dokumentation:

SIHF12N60E-GE3 Datenblatt PDF (9 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/19 15:10:48 (UTC+8)

SIHF12N60E-GE3 Datenblatt-PDF (9 Seiten)

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SIHF12N60E-GE3 Datenblatt PDF

Vishay Intertechnology

9 Seiten, 174 KB

SIHF12N60 Datenblatt-PDF

SIHF12N60E-E3
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220-3 N-CH 600V 12A 380mΩ

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